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光學(xué)設(shè)備
ALD設(shè)備提供創(chuàng)新和靈活的設(shè)計，為MEMS和復(fù)雜的3D表面沉積高質(zhì)量的光學(xué)薄膜，顯著提高鍍膜產(chǎn)品的性能和使用壽命，設(shè)備運(yùn)行速度快、可靠性高且極易維護(hù)。
該設(shè)備具備RF-ICP/CCP輔助磁控濺射后氧化模式，具有高沉積速率且光學(xué)性能匹配的特點(diǎn)。適用于車載蓋板玻璃和3C產(chǎn)品前蓋玻璃沉積AR膜，其中AR膜可為普通SiO2+Nb2O5膜系，也可為硬質(zhì)SiO2+Si3N4膜系。同時也適用于3C產(chǎn)品后蓋顏色膜（含漸變色膜）、NCVM膜的加工。
在玻璃/PC/PMMA基片上形成高精度光學(xué)多層薄膜的精密真空鍍膜機(jī)。將滿足客戶需求的多種元件組合在一起，可以形成品質(zhì)更加優(yōu)良的薄膜。基片傘架采用中心旋轉(zhuǎn)方式(公轉(zhuǎn))，減少產(chǎn)生振動和顆粒，使基片能夠穩(wěn)定旋轉(zhuǎn)。采用坩堝上沒有極片的電子束加熱方式作為蒸發(fā)源，可以穩(wěn)定地形成多層膜。
該設(shè)備射頻離子源清洗及后氧化輔助濺射成膜，適用于車載蓋板玻璃和3C產(chǎn)品前蓋玻璃沉積AR膜，其中AR膜可為普通SiO2+Nb2O5膜系，也可為硬質(zhì)SiO2+Si3N4膜系。可選在線AF/AS系統(tǒng)，沉積AR+AF/AS膜，AR+DLC+AF/AS膜，兼容2D/3D基材。同時也適用于3C產(chǎn)品后蓋顏色膜（含漸變色膜）、NCVM膜的加工。
采用ICP輔助磁控濺射的光學(xué)膜層低吸收和低應(yīng)力，加工各類帶通膜和截止膜，如人臉識別（Face ID），中遠(yuǎn)紅外高透膜；磁控濺射各類金屬Cu，Al，Cr，Au，Ag，SUS等，工藝開發(fā)改善深孔鍍膜，鍍膜層具有優(yōu)異的臺階覆蓋性能，應(yīng)用于MEMS芯片封裝。
濺射沉積系統(tǒng)在側(cè)壁上裝有多個圓柱形靶材，以提高沉積速率和多層涂層，該系統(tǒng)配備有直流脈沖或射頻功率圓形陰極，垂直安裝的基板和圓柱形陰極可最大程度地減少涂層過程中的顆粒污染，通過多個腔體的靈活組合，大大提高生產(chǎn)效率和膜層性能。
設(shè)備模塊化設(shè)計，可結(jié)合等離子清洗（Plasma-clean）單元，磁控濺射（SPT）單元，等離子增強(qiáng)化學(xué)反應(yīng)（PECVD）單元，原子層沉積（ALD）單元，以及等離子化學(xué)反應(yīng)刻蝕（RIE）單元，拓展成簇式微納加工中心，涵蓋半導(dǎo)體微納結(jié)構(gòu)加工的基材清洗、薄膜沉積（含超薄薄膜）和圖案化刻蝕整套工序。滿足嚴(yán)格的薄膜沉積均勻性規(guī)格，最大程度減少了高應(yīng)力薄膜缺陷，提高產(chǎn)量而降低成本。
旋轉(zhuǎn)陰極裝置與行內(nèi)普通平面靶裝置相比靶材使用周期與利用效率顯著提高?？煽椭苹幕骞ぜ芙Y(jié)構(gòu)定制，給客戶產(chǎn)品擺放達(dá)到最大的利用空間。全自動一體的提拉升降的轉(zhuǎn)架裝置，大幅度減少機(jī)器開關(guān)門時間，大大提高了生產(chǎn)效率與工藝穩(wěn)定性。匯成專利離子源具有工作范圍廣能量均衡，高離化率，超穩(wěn)定工作效率，低耗能等特點(diǎn)。
配備電子槍、穴型、腰型或環(huán)形坩堝，阻抗式蒸發(fā)源;配置光學(xué)膜厚控制儀或石英晶體膜厚控制儀，可實(shí)現(xiàn)成膜速度和鍍膜過程的自動控制;可選射頻RF/考夫曼型/霍爾型離子源;可制備AR、UV/IR截止濾光片、AF、硬質(zhì)膜、裝飾膜、ITO膜 、帶通濾光片、HR膜等。
AF/AS鍍膜，即防污膜（AS），防指紋膜（AF膜），主要是通過真空鍍膜的技術(shù)將有機(jī)氟化物材料沉積到基材上，使基材表面具有防水，防油，防刮，防指紋，防污染等功能。廣泛應(yīng)用于數(shù)碼產(chǎn)品，手表，五金等玻璃，金屬，塑料，陶瓷材質(zhì)的面板，零件表面，及其裝飾和功能薄膜上加鍍AF，AS涂層，提高表面硬度，光滑度，耐磨性，耐化學(xué)性和易清潔性。
HCVAC-PVD
