濺射是物理氣相沉積技術的另一種方式，濺射的過程是由離子轟擊靶材表面，使靶材材料被轟擊出來的技術。惰性氣體，如氬氣，被充入真空腔內，通過使用高電壓，產生輝光放電，加速離子到靶材表面，氬離子將靶材材料從表面轟擊（濺射）出來，在靶材前的工件上沉積下來，通常還需要用到其它氣體，如氮氣和乙炔，和被濺射出來的靶材材料發生反應，形成化合物薄膜。濺射技術可以制備多種涂層，在裝飾涂層上具有很多優點（如Ti、Cr、Zr和碳氮化物），因為其制備的涂層非常光滑，這個優點使濺射技術也廣泛應用于汽車市場的摩擦學領域（例如，CrN、Cr2N及多種類金剛石（DLC）涂層）。高能量離子轟擊靶材，提取原子并將它們轉化為氣態，利用磁控濺射技術，可以對大量材料進行濺射。
濺射技術的優點：
+ 靶材采用水冷，減少熱輻射
+ 不需要分解的情況下，幾乎任何金屬材料都可以作為靶材濺射
+ 絕緣材料也可以通過使用射頻或中頻電源濺射
+ 制備氧化物成為可能（反應濺射）
+ 良好的涂層均勻性
+ 涂層非常光滑（沒有液滴）
+ 陰極（最大2m長）可以放置在任何位置，提高了設備設計的靈活性
濺射技術的缺點：
- 與電弧技術比較，較低的沉積速率
- 與電弧相比，等離子體密度較低（~5%），涂層結合力和涂層致密度較低
濺射技術有多種形式，這里我們將解釋其中的一些，這些濺射技術都能在匯成真空生產的真空鍍膜設備上實現。
+ 磁控濺射 使用磁場保持靶材前面等離子體，強化離子的轟擊，提高等離子體密度。
+ UBM 濺射是非平衡磁控濺射的縮寫。使用增強的磁場線圈加強工件附近的等離子密度?？梢缘玫礁又旅艿耐繉印Ｔ赨BM過程中使用了更高的能量，所以溫度也會相應升高。
+ 閉合場濺射 運用磁場分布限制等離子體于閉合場內。降低靶材材料對真空腔室的損失并使等離子體更加靠近工件。可以得到致密涂層，并且使真空腔室保持相對清潔。
+ 孿生靶濺射（DMS）是用來沉積絕緣體涂層的技術。交流電（AC）作用在兩個陰極上，而不是在陰極和真空腔室之間采用直流（DC）。這樣使靶材具有自我清理功能。孿生靶磁控濺射用來高速沉積如氧化物涂層。
+ HIPIMS+ （高功率脈沖磁控濺射）采用高脈沖電源提高濺射材料的離化率。運用HIPIMS+ 制備的涂層兼具了電弧技術和濺射技術的優點。HIPIMS+ 形成致密涂層，具有良好涂層結合力，同時也是原子級的光滑和無缺陷的涂層。
